르네사스, 업계 최초로 40nm 플래시 메모리 개발
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글 : 한상기(hskm3@hanmail.net)|
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승인 2011-12-20 00:39:30 |
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르네사스가 업계 최초로 자동차용 40nm 엠베디드 플래시 메모리를 개발했다. 그리고 40nm 플래시 메모리를 지원하는 MCU(microcontrollers)도 업계 처음이다. 샘플의 생산은 내년 가을부터 시작된다.
르네사스는 플래시 MONOS(Metal Oxide Nitride Oxide Silicon)을 통해 기술력을 입증해 왔다. 지난 2007년에도 업계 최초로 자동차용 90nm 플래시 MCU를 개발한바 있다. 르네사스에 따르면 플래시 MONOS 기술은 높은 신뢰성과 성능을 동시에 구현했다. 처리 속도가 월등히 빠라졌다는 설명이다. 40nm 플래시 메모리는 20년 간 데이터를 보존할 수 있으며 클록스피드는 120MHz이다.
르네사스는 플래시 MONOS(Metal Oxide Nitride Oxide Silicon)을 통해 기술력을 입증해 왔다. 지난 2007년에도 업계 최초로 자동차용 90nm 플래시 MCU를 개발한바 있다. 르네사스에 따르면 플래시 MONOS 기술은 높은 신뢰성과 성능을 동시에 구현했다. 처리 속도가 월등히 빠라졌다는 설명이다. 40nm 플래시 메모리는 20년 간 데이터를 보존할 수 있으며 클록스피드는 120MHz이다.
