인피니언, 3세대 실리콘 카바이드 다이오드 공개

인피니언이 3세대 실리콘 카바이드 다이오드를 공개했다. 'thinQ!‘로 불리는 3세대 SiC(silicon carbide)는 전체 시스템의 효율을 높여주는 것은 물론 컨버터 시스템의 코스트도 낮출 수 있다는 장점이 있다. 인피니언은 2001년 업계 처음으로 SiC 열전자 다이오드를 개발한바 있다.

3세대 SiC는 SMPS(Switched-Mode Power Supplies)의 PFC(Power Factor Correction)와 AC/DC 또는 DC/DC 인버터 등에 주로 사용된다. 기존의 실리콘 반도체 보다 고열에서도 안정적인 작동이 가능하며 힘의 집적도도 더 높다. 반면 무게와 부피, 구조를 줄여 하이브리드와 전기차에 많은 장점을 제공한다는 게 인피니언의 설명이다. 2세대와 비교 시 3세대 SiC는 콘덴서의 크기는 40% 작다.