GE와 VC 펌, 충전 인프라 구축에 2억 달러 투자
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글 : 한상기(hskm3@hanmail.net)
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승인 2010-12-24 00:59:32 |
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GE가 충전 인프라 구축에 2억 달러를 투자한다. GE가 추진하는 파워링 그리드에는 VC 펌이 공동으로 참여하며 보다 효율을 높인 충전 인프라의 개발에 매진하게 된다. 전 세계적으로 아이디어를 모아 차세대 시스템을 개발한다는 계획이다.
새 충전 그리드는 GE가 기술적인 서포트를 지원하며 다양한 분야의 전문가들과 공동으로 개발에 참여한다. GE는 글로벌 리서치 센터를 통해 충전 그리드를 개발하고 새 사업으로 추진한다는 계획이다. 전용 웹사이트에 모인 아이디어 중에서 상용화 여부를 결정할 것으로 알려졌다.
새 충전 그리드는 GE가 기술적인 서포트를 지원하며 다양한 분야의 전문가들과 공동으로 개발에 참여한다. GE는 글로벌 리서치 센터를 통해 충전 그리드를 개발하고 새 사업으로 추진한다는 계획이다. 전용 웹사이트에 모인 아이디어 중에서 상용화 여부를 결정할 것으로 알려졌다.